RUSTER硅壓阻式壓力傳感器
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德國RUSTER公司,供應和生產優質的傳感器設備。其設備遠銷國內外，在客戶中有著較好的評價。
德國RUSTER新型傳感器的特點包括：微型化、數字化、智能化、多功能化、系統化、網絡化，它不僅促進了傳統產業的改造和更新換代，而且還可能建立新型工業，從而成為21世紀新的經濟增長點。微型化是建立在微電子機械系統(MEMS)技術基礎上的，目前已成功應用在硅器件上做成硅壓力傳感器。
硅壓阻式壓力傳感器是利用單晶硅的壓阻效應制成的。在硅膜片特定方向上擴散4個等值的半導體電阻，并連接成惠斯通電橋
作為力――電變換器的敏感元件。當膜片受到外界壓力作用，電橋失去平衡時，若對電橋加激勵電源（恒流和恒壓），便可得到與被測壓力成正比的輸出電壓，從而達到測量壓力的目的。
硅壓阻式壓力傳感器都由3個基本部分組成（圖3.2）：①基體，直接承受被測應力；②波紋膜片，將被測應力傳遞到芯片；③芯片，檢測被測應力。芯片是在硅彈性膜片上，用半導體制造技術在確定晶向制作相同的4個感壓電阻，將他們連成惠斯通電橋構成了基本的壓力敏感元件。

膜片即是力敏電阻的襯底，又是外加應力的承受體，所以是壓力傳感元件的核心部分。在硅膜片上的背面要用機械或化學腐蝕的方法加工成中間很薄的凹狀，稱為硅杯，在它的正面制作壓阻全橋。如果硅杯是圓形的凹坑，就稱為圓形膜片。膜片還有方形、矩形等多種形式。當存在外加應力時，膜片上各處受到的應力是不同的。4個橋臂電阻在模板上的位置與方向設置要根據晶向和應力來決定。

膜片的設計和制作決定了傳感器的性能及量程。圖3.2所示的是一種充油封裝結構，在傳感器的波紋膜片及芯片之間填充了硅油，這種結構的壓力傳感器目前已相當成熟。量程為0～100kPa至0～60MPa，工作溫度為-55℃～125℃，精度為0.5%～0.1%；能夠實現表壓、絕壓測量
硅壓阻式壓力傳感器的另一種封裝形式是將硅應變片用于玻璃粉直接燒結在金屬膜片上，構成燒結型壓力傳感器。由于該傳感器的結構特點，能夠將彈性原件與被測介質直接接觸，易于小型化，適于動態壓力測量。該傳感器量程從0～100kPa至0～80MPa，工作溫度為-55℃～125℃，精度為0.5%～0.1%。固有頻率從幾千赫到幾百赫，可用于氣流模型試驗、爆炸壓力測試和發動機動態測量。
主要型號：311,211,201,301,200,300,212,21A,21M
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