A94411 氮化鎵生產技術配方制備工藝專利大全 （本輯320元， 含下列102項；）（特別提示：本站的專利文獻均已被編成word格式，這在業內獨樹一幟。） 01、氮化鎵單晶的生長方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法02、氮化鎵基圓盤式單色光源列陣03、氮化鎵系化合物半導體磊晶層結構及其制造方法04、往氮化鎵結晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板05、一種提高氮化鎵(GaN)基半導體材料發光效率的方法06、一種無機化合物氮化鎵納米線的制取方法07、晶態氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導體器件08、以多孔氮化鎵作為襯底的氮化鎵膜的生長方法09、一種用于氮化鎵外延生長的圖形化襯底材料10、一種改變氫化物氣相外延法生長的氮化鎵外延層極性的方法11、一種因干法刻蝕受損傷的氮化鎵基材料的回復方法12、非極化的復合氮化鎵基襯底及生產方法13、導電的非極化的復合氮化鎵基襯底及生產方法14、導電的非極化的復合氮化鎵基襯底及生產方法15、垂直結構的非極化的氮化鎵基器件及側向外延生產方法16、氮化鎵薄膜材料的制備方法17、氮化鎵類半導體元件及其制造方法18、提高氮化鎵基高電子遷移率晶體管性能的結構及制作方法19、雙異質結構氮化鎵基高電子遷移率晶體管結構及制作方法20、一種高純度氮化鎵納米線的制備生成方法21、單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法22、導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底23、應用于基于氮化鎵材料的包封退火方法24、氮化鎵單晶基板及其制造方法25、三甲基鎵、其制造方法以及從該三甲基鎵成長的氮化鎵薄膜26、一種采用新型助熔劑熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法27、生長高阻氮化鎵外延膜的方法28、生長高遷移率氮化鎵外延膜的方法29、在硅襯底上生長碳化硅氮化鎵材料的方法30、鋁鎵氮/氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法31、氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的金屬插入層及制備方法32、無掩膜橫向外延生長高質量氮化鎵33、氮化鎵透明導電氧化膜歐姆電極的制作方法34、氮化鎵(GaN)類化合物半導體裝置及其制造方法35、氮化鎵系發光組件及其制造方法36、富鎵氮化鎵薄膜的制造方法37、氮化鎵系化合物半導體的外延結構及其制作方法38、通過氣相外延法制造具有低缺陷密度的氮化鎵膜的方法39、硅襯底上生長低位錯氮化鎵的方法40、一種多電極氮化鎵基半導體器件的制造方法41、燒結的多晶氮化鎵42、氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的低溫插入層及制備方法43、一種提高氮化鎵基材料外延層質量的襯底處理方法44、改進氫化物氣相外延生長氮化鎵結晶膜表面質量的方法45、氮化鎵外延層的制造方法46、準氮化鋁和準氮化鎵基生長襯底及在氮化鋁陶瓷片上生長的方法47、導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底及其低成本的生產技術和工藝48、氮化鎵基半導體器件及其制造方法49、III族氮化物半導體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導體、......50、一種用于氮化鎵外延生長的復合襯底51、薄膜電極、采用它的氮化鎵基光學器件及其制備方法52、局部存在有單晶氮化鎵的基底及其制備方法53、制備氮化鎵單晶薄膜的方法54、制造氮化鎵半導體發光器件的方法55、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED的發光裝置及其制造方法56、溶膠－凝膠法制氮化鎵納米多晶薄膜57、金屬有機物化學氣相沉積氮化鎵基薄膜外延生長設備58、用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法59、氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法60、光學讀出的氮化鎵基單量子阱超聲波傳感器61、一種檢測氮化鎵基材料局域光學厚度均勻性的方法62、基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法63、用橫向生長制備氮化鎵層64、氮化鎵基藍光發光二極管芯片的制造方法65、一種控制氮化鎵(GaN)極性的方法66、高P型載流子濃度的氮化鎵基化合物薄膜的生長方法67、生產氮化鎵膜半導體的生產設備以及廢氣凈化設備68、高亮度氮化鎵基發光二極管外延片的襯底處理方法69、往氮化鎵結晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板70、氮化鎵單晶膜的制造方法71、亞穩態巖鹽相納米氮化鎵的溶劑熱合成制備方法72、氮化鎵及其化合物半導體的橫向外延生長方法73、一種氮化鎵材料的干法刻蝕方法74、氮化鎵系發光二極管的結構及其制造方法75、氮化鎵晶體的制造方法76、氮化鎵結晶的制造方法77、氮化鎵晶體的制備方法78、氮化鎵單晶襯底及其制造方法79、光輻射加熱金屬有機化學汽相淀積氮化鎵生長方法與裝置80、具有低位錯密度的氮化鎵族晶體基底部件及其用途和制法81、氮化鎵外延層的制造方法82、一種利用熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法83、一種氮化鎵單晶的熱液生長方法84、一種生長氮化鎵及其化合物薄膜的方法85、一種制備氮化鎵基LED的新方法86、氮化鎵薄膜制備技術及專用裝置87、一種非結晶與多晶結構的氮化鎵系化合物半導體的成長方法88、氮化鎵化合物半導體制造方法89、氮化鎵陶瓷體的制備方法90、單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法91、氮化鎵半導體激光器92、單晶氮化鎵基板，單晶氮化鎵長晶方法及單晶氮化鎵基板制造方法93、橫向外延生長高質量氮化鎵薄膜的方法94、氮化鎵晶體的制造方法95、氮化鎵層的制備方法96、氮化鎵類化合物半導體等的干法刻蝕方法97、采用多量子阱制備綠光氮化鎵基LED外延片98、氮化鎵熒光體、其制造方法及使用該熒光體的顯示裝置99、以氮化鎵為基底的半導體發光裝置100、在含有非氮化鎵柱體的基板上制造氮化鎵半導體層,并由此制造氮化鎵半導體結構的方法101、氮化鎵的塊狀單結晶的制造方法102、氮化鎵層在藍寶石基體上的懸掛外延生長